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【TechWeb】2月20日消息，据外媒报道，三星电子副会长兼联席CEO，负责存储芯片、晶圆代工等芯片业务的设备解决方案业务部门主管全永鉉（Jun Young Hyun），在上周到访了英伟达的总部。 从外媒的报道来看，全永鉉上周前往英伟达的总部，是有重要的业务，他携带有他们改进了设计的1b DRAM样品，1b DRAM将用于制造高带宽存储器（HBM）。 1b DRAM是第五代10nm制程工艺的DRAM，主要是用于制造HBM3E，三星电子去年打算开始用1b DRAM制造高带宽存储器，但遇到了良品

中威电子2月20日晚间发布公告称配资炒股哪家正规，公司第五届第十九次董事会会议于2025年2月20日在公司18楼会议室以现场和通讯表决相结合的方式召开。审议了《关于修订〈公司章程〉的议案》等。

中威电子2月20日发布公告称，2025年3月10日（星期一）下午15:30，公司将在公司18楼会议室召开2025年第二次临时股东大会。本次股东大会将审议《关于补选第五届董事会非独立董事的议案》等议案股票配资交流群，2025年3月3日收市后登记在册的股东可现场参会投票，或通过交易所投票系统行使表决权。